Иллюстрация работы обычного (A) и светочувствительного (B) полевого транзистора со сверхпроводниковым затвором. В первом случае сверхпроводимость вызывается подачей напряжения на затвор, во втором — поляризацией изолятора, индуцированной ультрафиолетовым излучением. © Институт молекулярных наук.
