Иллюстрация работы обычного (A) и светочувствительного (B) полевого транзистора со сверхпроводниковым затвором. В первом случае сверхпроводимость вызывается подачей напряжения на затвор, во втором — поляризацией изолятора, индуцированной ультрафиолетовым излучением. © Институт молекулярных наук.
Читайте также
Квантовое туннелирование в графене приближает эпоху беспроводных терагерцовых технологий
Краткий дайджест новостей науки от «XX2 века» и SberDevices. Выпуск 21.10.2020
Учёные уточнили модель оползней, способных порождать цунами
Компьютерная память на рутении. Эффективность «неидеального» электрода
Комментарии