Агентство передовых оборонных исследовательских проектов США (DARPA) сообщило о признании Книгой рекордов Гиннесса нового достижения — преодоления частоты в 1 ТГц для полупроводниковых интегральных микросхем.
Проект DARPA по созданию терагерцевой электроники принёс первые результаты в 2010 году, когда была создана интегральная микросхема, работающая на частоте 670 ГГц. В 2012 году был создан усилитель на основе микромеханической вакуумной лампы, частота работы которого составила 850 ГГц. И наконец, в этом году преодолён символичный барьер в 1 ТГц. Работы над терагерцевой электроникой ведутся в стенах компании «Нортроп Грумман» (Northrop Grumman Corporation), а DARPA координирует и финансирует разработки.
Согласно Палмеру, появление терагерцевого усилителя откроет дорогу многочисленным технологиям. Среди них он указывает системы наблюдения высокого разрешения, более совершенные радары и более чувствительные спектрометры для определения содержания опасных веществ. Кроме того, благодаря терагерцевой электронике можно будет реализовать коммуникационные сети с намного большей пропускной способностью.
