Американская компания Micron Technology разработала микросхемы флеш-памяти на основе созданной ею технологии трёхмерной NAND-памяти. Чипы объёмом 32 и 48 гигабайт позволят оснащать мобильные компьютеры накопителями объёмом более 10 терабайт. Помимо значительного прироста ёмкости накопителей, новая технология обеспечивает более высокие скорости записи и чтения, а также пониженное энергопотребление.
Инженеры Micron, работавшие в сотрудничестве с коллегами из компании Intel, расположили матрицы памяти в 32 яруса. Это помогло добиться трёхкратного роста плотности записи информации по сравнению с традиционной технологией NAND. По утверждению представителей компании, подобный прорыв невозможен с использованием плоской NAND-памяти, которая прошла длительный путь усовершенствований. Micron называет созданную ею технологию 3D NAND.
В разработанных микросхемах памяти 3D NAND используются ячейки с плавающим затвором. Компания сообщает о разработке двух вариантов чипов на новой технологии: чип с многоуровневыми ячейками (multi-level cell, MLC), в которых каждая ячейка хранит 4 уровня заряда, или 2 бита информации, имеет объём 32 Гб, а чип с 3 битами на ячейку (triple-level cell, TLC, или 3-битный MLC) — 48 Гб.
Высокая плотность записи информации даёт возможность создать SSD-накопитель объёмом 3,5 Тб размером с пластинку жевательной резинки, а в диске традиционного 2,5-дюймового форм-фактора разместить более 10 Тб.
При этом чипы на новой технологии обеспечивают более высокую производительность и надёжность по сравнению с чипами на плоской NAND-памяти. По оценкам инженеров Micron, MLC-микросхемы на 3D NAND будут как минимум не уступать показателям надёжности чипов компании на NAND-технологии, изготовленных по 20-нм техпроцессу, а TLC-микросхемы смогут использоваться в дата-центрах.
Уменьшится также и потребление энергии. Micron применила новые функции для режима сна, которые помогут снизить потребление мощности в неактивном кристалле NAND, даже если другие кристаллы в той же микросхеме активны.
Компания сообщает, что опытные образцы памяти 3D NAND появятся в третьем квартале 2015 года, а массовое производство начнётся в четвёртом квартале.
