Российские учёные сообщают о неожиданных свойствах тонких плёнок ковалентного кристалла

+7 926 604 54 63 address
 Рисунок 1. (a) Оптическая фотография кристалла InGaS<sub>3</sub>; (b) предполагаемое направление разрыва связей; (c-d) фотографии атомно-силовой микроскопии полученных двумерных объектов; (e) показатель преломления в сравнении с типовыми материалами с (e) высоким показателем преломления и (f) узким диапазоном поглощения. Вставка отражает оптическую запрещённую зону и соответствующий показатель преломления.
Рисунок 1. (a) Оптическая фотография кристалла InGaS3; (b) предполагаемое направление разрыва связей; (c-d) фотографии атомно-силовой микроскопии полученных двумерных объектов; (e) показатель преломления в сравнении с типовыми материалами с (e) высоким показателем преломления и (f) узким диапазоном поглощения. Вставка отражает оптическую запрещённую зону и соответствующий показатель преломления.

Российские физики расщепили ковалентный кристалл из сульфида индия и галлия (перспективный для использования в электронике материал) и изучили оптические характеристики полученных тонких плёнок. Этот кристалл имеет только ковалентные связи, но при этом продемонстрировал все свойства, присущие двумерным и слоистым материалам. Ожидается, что он найдёт применение в области диэлектрической нанофотоники — для создания тонких линз с переменным фокусным расстоянием или объёмных голограмм.

Работа опубликована в специализированном журнале npj 2d Materials and Applications и находится в свободном доступе.

Развитие цифровой экономики, роботизации, квантовой криптографии требует от электроники увеличения скорости, энергоэффективности и безопасности передачи данных. Сейчас во всем мире идёт гонка за материалами для электроники с улучшенными или даже уникальными физико-химическими характеристиками. Одной из точек роста современного материаловедения стали двумерные плёнки и материалы на их основе. 

Ученые активно исследуют слоистые материалы со слабыми межплоскостными ван-дер-ваальсовыми связями для получения двумерных материалов с уникальными свойствами. Связь Ван-дер-Ваальса имеет не химическую, а электростатическую природу и возникает между молекулами и атомами. Это слабая связь, и такие плёнки сложно масштабировать и применять на практике именно из-за непрочности соединения отдельных слоёв материала.

Группа российских учёных стремится создать плёнки, слои которых будут удерживаться вместе сильными химическими связями — ковалентными. Ковалентная связь возникает, когда ядра атомов сближаются и у них возникает общая электронная пара. Такие связи, в частности, формируют структуру некоторых кристаллов.

Исследователям удалось найти кристалл, одноатомные плёнки которого продолжают удерживаться вместе ковалентными связями даже после расслаивания.

«На сегодняшний день двумерные и слоистые материалы стали основной платформой для разработки оптических устройств следующего поколения благодаря их гигантскому показателю преломления, анизотропии и экситонным свойствам. Однако эти материалы сложно масштабировать и делать технологические процессы из-за их ван-дер-ваальсовых связей, в отличие от традиционных кристаллов, таких как кремний и оксид титана, где все связи ковалентные. В нашей же работе удалось найти материал InGaS3, который имеет только ковалентные связи, но при этом демонстрирует все свойства, присущие двумерным и слоистым материалам», — говорит Георгий Ермолаев, научный сотрудник лаборатории нанооптики и плазмоники Центра фотоники и двумерных материалов МФТИ.

Ученые провели экспериментальные и теоретические испытания нового материала и описали структурные, колебательные, электронные и оптические свойства полученных образцов.

«В данной работе при помощи компьютерного моделирования из первых принципов мы предсказали возможность существования и получения двумерного слоя из ранее неизвестного ковалентного кристалла InGaS3 путём разрыва химических связей вдоль определённого направления. Далее на основе теоретических предсказаний была проведена огромная экспериментальная работа с применением метода микромеханического отщепления по получению двумерных слоёв состава InGaS3 и последующее изучение оптических и электронных свойств материала», — добавил соавтор работы Дмитрий Квашнин, старший научный сотрудник ИБХФ РАН, доцент МФТИ.

Оказалось, что кристалл InGaS3 обладает высоким коэффициентом преломления (n>2,5) при отсутствии поглощения в видимом и ИК-диапазонах. Это делает его отличным кандидатом для применения в области полностью диэлектрической нанофотоники. Новый материал может применяться в оптике нового поколения для производства сложного медицинского оборудования, интегральных схем, фотонных вычислительных устройств, а также приборов для проекции объёмных голограмм.

Над научным исследованием работали сотрудники Московского физико-технического института (МФТИ), Института биохимической физики им. Н. М. Эмануэля (ИБХФ) РАН и Института физики им. Л. В. Киренского СО РАН.

.
Комментарии